罗姆第三代SiC MOSFET功率元器件为沟槽式结构,具有高速开关、低导通电阻的特点,寄生二极管的反向恢复工作特性更佳、功率损耗大幅降低,开关损耗降低73%。可广泛应用于太阳能功率调节器、电源、车载(EV/PHEV)用充电器和DC/DC转换器等,助力工业设备和汽车领域实现节能和小型化。

罗姆SiC MOSFET评估板"P02SCT3040KR-EVK-001",该评估板中配置有非常适用于驱动SiC元器件的罗姆栅极驱动器IC(BM6101FV-C)、各种电源IC及分立产品,可为您提供轻松进行元器件评估的解决方案!
P02SCT3040KR-EVK-001
罗姆SCT3040KR(1200V 40mΩ TO-247-4L)评估用
通过改变电路乘数器,可用来评估罗姆其他SiC-MOSFET
除了TO-247-4L外,还有TO-247-3L的通孔,可在同一评估板上进行对比评估
单一电源(+12V工作)
可进行最大150A的双脉冲测试,最大开关工作频率500kHz
支持各种电源拓扑(Buck, Boost, Half-Bridge)
内置栅极驱动用隔离电源,可通过可变电阻调整(+12V~+23V)
可通过跳线引脚来切换栅极驱动用负偏压和零偏压
可防止上下臂同时导通,内置过电流保护功能(DESAT, OCP)


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